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[发明专利]纳米晶体磁性合金及其热处理方法-CN201680008309.2有效
发明人：太田元基;伊藤直树 -专利权人：梅特格拉斯公司;日立金属株式会社
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：一种纳米晶体合金带，具有局部结构和至少为200mm的带曲率半径，所述局部结构具有分散在非晶基质中平均粒度小于40nm的纳米晶体，所述纳米晶体占据所述带的30体积百分比以上。所述带可以具有铁基合金组合物，包含0.6原子百分比‑1.2原子百分比的Cu、10原子百分比‑20原子百分比的B和大于0原子百分比且高达10原子百分比的Si，其中B和Si的组合含量为10原子百分比‑24原子百分比
纳米晶体磁性合金及其热处理方法

[发明专利]铜合金-CN202080076604.8在审
发明人：凯文·詹姆斯·劳斯;彼得·蒂勒尔·尼科尔森;派翠克·拉斯·约瑟夫·康韦;劳瑞·谢丽尔·贝斯曼;沃伦·理查德·麦肯兹 -专利权人：先进合金控股私人有限公司
申请日： 2020-10-02 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C22C9/05 文献下载
摘要：一种合金，包括或由以下组成：40至62.5原子百分比的铜；5至40原子百分比的锰；至多24原子百分比的镍；5至24原子百分比的锌；以及1至15原子百分比的铝。
铜合金

[发明专利]含钴铬铂硼铼溅镀靶材、含钴铬铂硼铼层及其制法-CN201810733410.5有效
发明人：叶欲安;王彦淳;黄威智;郑惠文 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：于本发明含钴铬铂硼铼溅镀靶材中，以其原子总数为基准，钴的含量大于50原子百分比，铬的含量大于或等于2原子百分比且小于或等于18原子百分比，铂的含量大于或等于9原子百分比且小于或等于30原子百分比，硼的含量大于或等于2原子百分比且小于或等于14原子百分比，铼的含量大于或等于2原子百分比且小于或等于8原子百分比。
含钴铬铂硼铼溅镀靶材含钴铬铂硼铼层及其制法

[发明专利]信息记录介质及其制造法和记录再生装置-CN200880119382.2有效
发明人：土生田晴比古;山田升;古宫成 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： B41M5/26 文献下载
摘要：Te-O-MA-MB材料来构成记录层，该Te-O-MA-MB材料由Te、O、MA(MA是从Au以及Pd中选出的至少1种元素)、以及MB(MB是从Ag、Cu、以及Ni中选出的至少1种元素)构成，并且Te原子的含有比例是10原子百分比以上、50原子百分比以下，O原子的含有比例是40原子百分比以上、70原子百分比以下，MA原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下，MB原子的含有比例是3原子百分比以上、15原子百分比以下
信息记录介质及其制造再生装置

[发明专利]脱水催化剂、制备方法及使用其生产二羟基酚化合物的一烷基醚的方法-CN98108882.1有效
发明人：松崎德雄;杉本常美;中村靖夫;真锅卓美 -专利权人：宇部兴产株式会社
申请日： 1998-04-14 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： B01J27/186 文献下载
摘要：一种以高转化率和高选择性用于通过二羟基酚化合物和低级烷醇的脱水反应生产二羟基酚化合物的一烷基醚的脱水催化剂，含有至少一种以下经验式(I)的无机物质；AlaPbTicSidXeOf(I)其中X表示选自下述(1)和(2)组成组的一员(1)锑和/或铋原子，(2)硫原子，a，b，c，d，e和f分别表示Al，P，Ti，Si，X和O原子的数量，原子比a∶b是1∶1.0-1.9，原子比a∶c是1∶0.05-0.5，原子比a∶d是1∶0.05-0.2，当X表示至少一种选自锑和铋原子的原子时原子比a∶e是1∶0.01-0.3，当X表示一硫原子时原子比a∶e是1∶0.004-0.015，原子比a∶f是1∶4.1-8.4。
脱水催化剂制备方法使用生产羟基化合物烷基

[发明专利]铁氧体烧结磁铁、电动机及发电机-CN201910137327.6在审
发明人：长冈淳一;小野裕之;菅原祐一 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01F1/11 文献下载
摘要：该铁氧体烧结磁铁(10)含有：主相，其由具有六方晶的磁铅石型的晶体结构的铁氧体构成；第一副相，其含有La、Ca及Fe，La的原子比率比主相中的La的原子比率高，且La的原子比率比Ca的原子比率高；第二副相，其含有La、Ca、Si、B及Fe，Ca的原子比率比La的原子比率高，B的原子比率比Fe的原子比率高，Fe的原子比率比主相中的Fe的原子比率低。
原子比率铁氧体烧结磁铁主相磁铅石型晶体结构面积比率电动机六方晶铁氧体发电机

[发明专利]原子序重排方法-CN202080001150.8在审
发明人：常超;马健;赖力鹏;温书豪 -专利权人：深圳晶泰科技有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G16B15/00 文献下载
摘要：一种原子序重排方法，包括：拓扑重排：将待重排原子序的结构参照参比结构运用二维拓扑重排方法进行重排；等价原子判断：判断拓扑结构中的等价原子；测量标记：标记重排结构和参比结构的原子手性信息；二次重排：将重排结构参照参比结构进行二次重排原子序；上述原子序重排方法将标记重排结构和参比结构的原子手性信息，将重排结构参照参比结构进行二次重排原子序，引入原子序手性，将结构的部分3D信息包含至2D的拓扑原子序重排中，使原子序重排能充分考虑结构的3D信息，避免结构的原子序错乱，解决原子序不一致的问题，从而有利于后续准确计算结构力场能量。
原子序重排方法

[发明专利]切削工具-CN202180071677.2在审
发明人：铃木优太;深江恒佑 -专利权人：住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B23C5/16 文献下载
摘要：/base:Sub>N所示的化合物构成，上述TiaAlbBcN中的钛元素的原子比a为0.25以上且小于0.45，上述TiaAlbBcN中的铝元素的原子比b为0.55以上且小于0.75，上述TiaAlbBcN中的硼元素的原子比c超过0且为0.1以下，上述原子比a、上述原子比b以及上述原子比c总计为1，上述TidAleBf原子比f超过0且为0.1以下，上述原子比d、上述原子比e以及上述原子比f总计为1，上述原子比a以及上述原子比d满足0.05≤d‑a≤0.2，上述原子比b以及上述原子比e满足0.05≤b‑e≤
切削工具

[发明专利]一种测量原子弛豫率的装置及方法-CN202310268772.2在审
发明人：茹宁;林平卫;屈继峰;刘争;陆柏川 -专利权人：中国计量科学研究院
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量原子弛豫率的装置及方法，该装置包括：微波单元，用于产生微波场，作用于原子气室，使原子气室内原子产生拉比共振；激光单元，用于产生激光束照射原子气室，使用激光束探测原子的拉比共振规律；采集单元，用于采集透射原子气室后的激光束，获取激光束的频率信息；上位机，将激光束的频率信息绘制成原子的拉比共振曲线，解算原子的拉比共振曲线，获得原子弛豫率。本发明公开的测量原子弛豫率的装置及方法，准确度更高。
一种测量原子弛豫率装置方法

[发明专利]硫族化物材料和包括硫族化物的半导体存储器件-CN202211088815.0在审
发明人：林俊英;金亨根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：所述硫族化物材料包括具有第一原子百分比的锗(Ge)、具有至少是锗的第一原子百分比两倍的第二原子百分比的硒(Se)和具有小于锗的第一原子百分比的第三原子百分比的铟(In)。
硫族化物材料包括半导体存储器件

[发明专利]一种含铌镍钛系形状记忆合金及其制备方法和应用-CN201610536650.7在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州市皎朝纳米科技有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种含铌镍钛系形状记忆合金，该合金由钛、镍、铜、铌、钨、钇元素构成；按原子百分比包括如下组分：钛原子百分比含量为45‑52%、镍的原子百分比含量为39‑43%；铜的原子百分比含量为5‑10%；铌的原子比含量为1‑2%；钨的原子比含量为1%；余量为钇。
一种含铌镍钛系形状记忆合金及其制备方法应用

[发明专利]氮、硫配位占比可控的铁单原子-硫正极材料及其制备方法-CN202310875626.6在审
发明人：李喜飞;曹贵强;段瑞贤;王晶晶;李文斌 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开氮、硫配位占比可控的铁单原子‑硫正极材料，定量化了配位原子占比，合成了具有不同氮、硫配位占比的铁单原子，研究了不同配位占比对铁单原子电子结构、电子密度、电子分布等微观特性的影响，揭示其配位占比与催化性能间的构效关系，为高性能锂硫电池硫正极用铁单原子催化剂的设计提供理论指导；更为重要的是，将活性物质硫与不同氮、硫配位占比的铁单原子复合，优化了氮、硫配位占比可控的铁单原子材料与硫物质间的相互作用，获得了优异的倍率性能；另外，本发明还公开了氮、硫配位占比可控的铁单原子‑硫正极材料的制备方法，为锂硫电池硫正极提供了多种具有新型的配位结构的铁单原子。
硫配位占可控原子正极材料及其制备方法

[发明专利]半导体结构-CN200810093526.3有效
发明人：林俊杰;许伟华;张宇恩;张传理;郑吉峰;洪维远;岸本耕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括：一半导体衬底；一栅极堆叠层，位于该半导体衬底上；一硅锗区，位于该半导体衬底中且与该栅极堆叠层相邻，其中该硅锗区具有一第一原子百分比，该第一原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比；一硅化区，位于该硅锗区之上，其中该硅化区具有一第二原子百分比，该第二原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该第二原子百分比实质上低于该第一原子百分比。
半导体结构

[发明专利]GaAs半导体衬底及其制造方法-CN200710167164.3有效
发明人：西浦隆幸;目崎义雄;堀江裕介;樋口恭明 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：当利用通过X－射线光电子光谱术在光电子出射角θ为10°的条件下测量的Ga原子和As原子的3d电子光谱来计算原子比时，该表面层(10a)上所有Ga原子对所有As原子的构成原子比(Ga)/(As)至少为0.5且不大于0.9；在该表面层(10a)上，与O原子结合的As原子与所有Ga原子和所有As原子的比(As－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35；并且在该表面层(10a)上，与O原子结合的Ga原子与所有Ga原子和所有As原子的比(Ga－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35。
gaas 半导体衬底及其制造方法

[发明专利]存储器器件-CN202010136330.9在审
发明人：吴昭谊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：硫族化物材料包括第一原子百分比的第一元素、第二原子百分比的硫族元素以及第三原子百分比的第一掺杂剂。第三原子百分比小于第一原子百分比且小于第二原子百分比。
存储器器件

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